2025 年 10 月半导体领域核心新闻动态

关键参数：采用 193nm ArF 准分子激光光源（国内首次稳定输出），套刻精度 ±1.2nm，适配 12 英寸晶圆，通过自对准四重成像（SAQP）工艺实现等效 5nm 制程，绕开 EUV 技术限制。

量产进展：已进入中芯国际深圳产线验证，2026 年计划量产 50 台 / 年，2030 年目标产能提升至 300 台 / 年，核心部件国产化率超 50%（2026 年将达 70%）。

配套设备升级：同步推出刻蚀设备 ETCH - 武夷山 2.0（新增 SiC 刻蚀模块，表面损伤层 < 1nm）、原子层沉积 ALD - 阿里山 3.0（单原子层精度 0.1nm，膜厚均匀性 < 1.5%，适配 2nm 以下制程），形成全流程设备矩阵。